长鑫存储LPDDR6研发验证接近尾声，有望下半年量产

国产DRAM厂商长鑫存储在高端移动内存领域迎来关键突破。8月1日，据多家媒体报道，行业人士透露长鑫存储的LPDDR6（第六代低功耗双倍数据速率内存）已接近研发验证尾声，距离小批量导入及正式量产更进一步。

长鑫首款LPDDR6产品的设计规格速率为12800Mbps，与SoC协同运行的基础速率为10667Mbps，颗粒容量16Gb，芯片容量16GB，采用1295Ball的POP堆叠封装。在低功耗设计及RAS（可靠性、可用性和可维护性）功能上，较LPDDR5X均有明显优化提升。此前市场消息称，长鑫存储已向核心客户送样，有望于2026年下半年发布并实现量产导入。

LPDDR主要应用于手机、平板电脑等移动设备。研发验证阶段是量产前的关键一步，测试涵盖兼容性验证、系统稳定性验证、性能功耗测试、机械可靠性测试等，目的是核验产品设计合理性与可靠性，提前排查潜在风险。

从全球竞争格局看，三大存储巨头均在加速推进LPDDR6。SK海力士进度最快，已宣布采用第六代10纳米级（1c）工艺完成LPDDR6开发验证，计划2026年下半年开始量产，目标峰值速度达14.4Gbps，比LPDDR5X提升约33%，功耗降低超过20%。三星电子今年1月已在CES2026上展出LPDDR6产品，功耗较前代降低21%、速度提升11%，并获CES创新奖，但尚未公布具体量产时间。美光在6月财报会议上表示DRAM需求将从LPDDR5/DDR5向LPDDR6/DDR6迁移，但尚未公布产品开发进度与量产计划。

若长鑫存储顺利推进量产，将成为全球较早实现LPDDR6量产的存储厂商之一。从发布LPDDR5到LPDDR6向核心客户送样，长鑫在DRAM两个代际的跨越仅用不到三年。LPDDR6的问世，旨在应对生成式AI在端侧部署带来的严苛挑战——随着AI手机、AIPC等端侧AI设备对内存带宽和功耗提出更高要求，LPDDR6正在成为新一代移动设备的标配内存。