英伟达白皮书定调800V新架构，露笑科技盘中触及涨停

AI算力功耗的指数级攀升，正倒逼数据中心供电体系迎来一场“从交流到直流、从低压到高压”的根本性变革。7月7日，英伟达在算力中心供电白皮书中正式将固态变压器（SST）确立为下一代800V高压直流供电架构的核心设备，依托碳化硅功率器件的高频特性，可实现10kV中压交流至800V直流的一步式转换。

碳化硅正从新能源车的“专属标签”走向AI数据中心的“新基建”。受英伟达算力中心供电白皮书催化，7月7日，碳化硅概念股集体异动，露笑科技（002617.SZ）盘中直线拉升一度触及涨停。

露笑科技是全球少数可实现8英寸碳化硅衬底量产的企业之一。公司已攻克6/8/12英寸碳化硅晶体生长、衬底精密加工等关键核心技术，8英寸碳化硅衬底已实现稳定量产，12英寸新品研发取得突破。2026年初，公司成功开发出12英寸碳化硅衬底，正在积极推进工艺优化与客户验证。

产能方面，合肥露笑一期规划衬底总产能24万片/年，目前已建成达产6万片/年，公司初步计划于2026年下半年启动进一步扩产，逐步将产能提升至12万片/年。目前8英寸碳化硅衬底已处于供不应求状态。

碳化硅衬底的需求增长正受到多重力量驱动。据公司投资者关系活动记录表披露，碳化硅衬底面向新能源汽车、光伏与储能、AI数据中心等应用领域需求持续快速增长，预计2030年市场规模将增至585亿元，年复合增长率达37%。

其中，AI数据中心正成为碳化硅需求的新增长极。英伟达已在算力中心供电白皮书中将固态变压器（SST）确立为下一代800V高压直流供电架构的核心设备，依托碳化硅功率器件的高频特性，可实现10kV中压交流至800V直流的一步式转换。

据露笑科技在机构调研中分析，传统数据中心供电链路转换效率仅约90%至92%，设备体积庞大、铜材用量高。而SST通过碳化硅MOSFET等高频功率器件，可将转换效率提升至98.5%以上，体积缩减60%以上，电力损耗降低40%以上，铜材用量减少约45%。机构预测SST赛道将于2026年开启商业化，预计2026年底前国内TOP10云厂商的新建智算中心将全部采用SST加高压直流架构，渗透率达30%以上。

碳化硅是第三代化合物半导体的核心代表材料，凭借高禁带宽度、高热导率、高击穿电场等特性，可突破传统硅基器件的物理性能极限，适配高压、高温、高功率、高频等应用场景。从新能源汽车到AI数据中心，碳化硅正成为支撑能源变革与算力升级的底层核心材料。