AI竞赛进入“拼内存”：闪迪HBF年底送样，成本仅为HBM五分之一

在人工智能大模型参数向十万亿级迈进、AIAgent加速落地的背景下，存储芯片的战略地位正被重新定义。闪迪（Sandisk）首席技术官近日公开表示，大模型KV缓存、专家混合模型等技术趋势，正使全球AI竞赛日益“以内存为中心”，客户抢签长期采购协议的力度前所未见。与此同时，闪迪披露其新型AI内存——高带宽闪存（HBF）将在年底送样，配备控制器的完整产品预计于明年正式推出，为如火如荼的AI存储市场投下一枚重磅炸弹。

在传统的AI算力体系中，内存长期扮演着数据的“搬运工”角色，其核心价值在于配合GPU进行高速数据交换。然而，随着模型规模的指数级膨胀和AIAgent应用对长上下文记忆的刚性需求，内存瓶颈已成为制约AI性能的关键短板。

在HBM（高带宽内存）产能被三星、SK海力士、美光三大巨头垄断且价格高昂的格局下，闪迪祭出的HBF技术提供了一条差异化路径。据披露，HBF通过垂直堆叠NAND闪存裸片，并利用硅通孔（TSV）连接基底裸片与闪存裸片，从而实现高带宽数据传输。与HBM采用DRAM堆叠不同，HBF基于NAND闪存，而NAND的单位成本约为HBM的五分之一，这意味着在同等容量下，HBF的经济效益极为可观。

虽然NAND的读写速度天然低于DRAM，但对于AI推理中大量顺序读取KV缓存的场景，HBF的带宽和延迟特性已能满足要求。分析人士指出，HBF的定位并非全面替代HBM，而是在AI推理、大规模Embedding存储等对容量敏感、对延迟容忍度稍高的场景中提供一种高性价比方案。这一技术若成功量产，将有效缓解当前AI存储供不应求的局面，并降低AI推理的总体拥有成本。

闪迪此番动作并非孤例。近期，全球存储行业正经历一场深刻的估值重构。就在上周，美光科技市值突破1万亿美元，SK海力士、三星电子市值也相继站上万亿美元大关，存储三巨头齐聚“万亿俱乐部”。这一现象背后，是市场对AI记忆硬件长期价值的重估——AI的瓶颈正从算力转向内存，记忆能力正成为大模型差异化竞争的核心维度。