美光93亿美元扩产HBM，预计2028年投产

美东时间7月4日，美国存储芯片巨头美光科技正式启动其位于日本广岛工厂的扩建工程。这项总投资达1.5万亿日元（约合93亿美元）的项目，旨在生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进存储芯片，以满足人工智能浪潮带来的旺盛需求。新产线预计将于2028年夏季左右开始出货。

HBM是英伟达AI处理器的关键组件。美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉在奠基仪式上表示：“美光首批用于人工智能核心存储技术——HBM的生产晶圆，就是在广岛制造的。”梅赫罗特拉强调：“当美国的开拓魄力结合日本精湛工艺，产出的绝非折中产品，而是全球顶尖水准的芯片。”

此次扩建获得了日本政府的大力支持。日本经济产业省已承诺提供最高5000亿日元的补贴。连同研发支持资金在内，日本政府迄今已累计为美光提供约7750亿日元的支持。日本经济产业大臣赤泽亮正表示，美光作为目前日本本土唯一的DRAM制造商，其在日投资具有“无可估量的战略价值”。他同时释放信号，若其他海外芯片企业计划赴日设厂，日方将全力提供配套扶持。

广岛工厂是美光于2013年收购破产的日本DRAM厂商尔必达存储后整合而来，目前已发展为HBM技术的核心制造基地。美光日本分公司代表董事野坂浩太表示，广岛工厂的最大优势在于能够快速向客户交付最先进、高性能的产品。目前，广岛工厂所需芯片材料约80%来自日本本土供应商。

此次广岛扩建是美光全球产能扩张布局的一部分。公司正在美国爱达荷州博伊西建设两座尖端晶圆厂，并于今年1月在纽约州启动了总投资达1000亿美元的大型生产基地建设。

近期，全球存储芯片巨头纷纷宣布大规模扩产计划。本周早些时候，SK海力士宣布，计划投资80万亿韩元（约合514.6亿美元），在韩国清州市新建一座NAND存储芯片工厂。三星电子同样加速扩充芯片制造产能。随着AI算力需求持续攀升，三大存储巨头在HBM高端存储市场的竞争日趋白热化。