三星推出下一代存储技术zHBM，性能可达HBM5的八倍

当地时间8月4日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会（FMS）上，正式发布了面向AI基础设施的下一代存储技术路线图，首次公开展示了zHBM与zNAND-O概念模型，并推出了采用晶圆键合技术的400层以上V10BV-NAND原型产品。三星表示，zHBM的性能预计可达HBM5的八倍，为AI算力瓶颈提供了一条全新的突破路径。

zHBM是本次发布的核心亮点。与传统HBM与AI加速器并列放置的设计不同，zHBM通过先进晶圆键合技术将高带宽内存垂直堆叠于AI加速器正上方，大幅缩短数据传输路径，从而显著提升带宽与能效。

三星表示，搭载zHBM的下一代接口系统预计性能可达HBM5的约8倍，同时借助新型晶圆键合技术，内存密度可提升至HBM5的10倍以上，能源效率提高3倍，热阻降低一半以上。zHBM还支持客户定制化设计，允许在内存与AI加速器之间的中间层集成定制IP。三星DRAM设计团队项目负责人金庆轮表示，代理式AI正将性能需求推向极限，三星已准备好为每一位客户开发定制化zHBM解决方案。